參數(shù)資料
型號(hào)： GS820E32T-6
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分類： DRAM
英文描述： 2M Synchronous Burst SRAM
中文描述： 200萬同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁數(shù)： 16/23頁
文件大小： 345K
代理商： GS820E32T-6
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
16/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820E32T/Q-150/138/133/117/100/66
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2
C
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
- DQ
D
B
A
- B
D
A0-An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E3
tH
tH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS820E32T-66 2M Synchronous Burst SRAM
GS82032A Socket Adapter; For Use With:ATMEGA168-TQFP32, ATMEGA48-TQFP32, ATMEGA88-TQFP32, ATMEGA8L-TQFP32, ATMEGA8L(FAST)-TQFP32; Pitch Spacing:.8mm
GS820E32Q-150I 2M Synchronous Burst SRAM
GS820E32Q-4 2M Synchronous Burst SRAM
GS820E32Q-4I 2M Synchronous Burst SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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