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參數資料
| 型號： | GS8162Z72CGC-250IVT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 72 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-209 |
| 文件頁數： | 6/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 727K |
| 代理商： | GS8162Z72CGC-250IVT |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
VIH or VIL
Output open
(x72)
Pipeline
IDD
IDDQ
350
75
360
75
290
55
300
55
230
40
240
40
mA
Flow Through
IDD
IDDQ
265
50
275
50
230
45
240
45
210
40
220
40
mA
Standby
Current
ZZ
VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
ISB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
VIH or VIL
—
Pipeline
IDD
85
90
85
90
85
90
mA
Flow Through
IDD
60
65
50
55
50
55
mA
GS8162Z72CC-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03a 4/2008
14/27
2004, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD and VDDQ operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162ZV36AGD-350I | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| GS82032GQ-150IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| GS820V32GQ-5 | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8162Z72CGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 5NS/2.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8162Z72CGC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 5NS/2.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
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