參數(shù)資料
型號(hào)： GS816218BD-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/37頁(yè)
文件大?。?/td> 866K
代理商： GS816218BD-200
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
16/37
2004, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816218BD-200I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BD-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BD-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGB-150 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGB-150I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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