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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161E18BGT-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 32/35頁 |
| 文件大小： | 766K |
| 代理商： | GS8161E18BGT-150I |
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GS8161E18B(T/D)/GS8161E32B(D)/GS8161E36B(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 9/2005
32/35
2004, GSI Technology
TQFP Package Drawing (Package T)
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in millimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
—
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
—
0.65
—
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
—
1.00
—
Y
Coplanarity
0.10
θ
Lead Angle
0
°
—
7
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18BGT-200 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGT-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGT-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGT-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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