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參數(shù)資料
| 型號： | GS816036T-225I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-PDIP 0 to 70 |
| 中文描述： | 100萬× 18，512k × 32的，為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816036T-225I |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
22/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Pipelined SCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
G
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
Bb
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tKH
DQ
A
–
DQ
D
BW
A
–
BW
D
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
RD1
WR1
RD2
tS tH
A
0
–
An
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816036T-250 | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SO 0 to 70 |
| GS816036T-250I | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SO 0 to 70 |
| GS8160E18 | 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| GS8160E32 | 16Mb（512K x 36Bit）Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| GS8160E36 | 16Mb（256K x 72Bit）Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS816036T-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8160E18BGT-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS8160E18BGT-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
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