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參數(shù)資料
| 型號： | GS816032T-225I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816032T-225I |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS816036 100-Pin TQFP Pinout
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816032T-250 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-250I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 50V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-133 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-133I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816032T-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036BGT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS816036BGT-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS816036BGT-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
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