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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816032 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（為512k × 36位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 518K |
| 代理商： | GS816032 |
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Rev: 2.08 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/26
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-225/200/180/166/150/133
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
RD2
Q1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
–
DQ
D
B
A
–
B
D
A
0
–
A
n
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
WR1
tS
WR1
tS
tH
D1
A
tS
tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816036 | 16Mb（256K x 72Bit）Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
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| GS816036T-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-150 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-150I | 1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier, 30V, Single, SMB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS816032BGT-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS816032BGT-150IT | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 32 (16 MEG) SYNCH BURST, SCD - Tape and Reel |
| GS816032BGT-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS816032BGT-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
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