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參數(shù)資料
| 型號： | GS816018T-133 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816018T-133 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS816018/32/36 Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
E
2
E
3
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
B
B
B
C
B
D
FT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816018T-133I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018T-150 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-150I | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 2200uF; Voltage: 25V; Case Size: 18x35.5 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018T-166 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 25V; Case Size: 6.3x11 mm; Packaging: Bulk |
| GS816018T-166I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816018T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS816018T-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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