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參數(shù)資料
| 型號： | GS8152Z72 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 757K |
| 代理商： | GS8152Z72 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
7/39
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8152Z18/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS8152Z18/36 Pin Description
Pin Location
P4, N4
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSB’s and Address Counter Preset Inputs
A2, A3, A4, G4, A5, A6, B3, B5, C2,
C3, C5, C6, R2, R6, T3, T5
T4
T2, T6
T2, T6
K7, K6, L7, L6, M6, N7, N6, P7, P6
H7, H6, G7, G6, F6, E7, E6, D7, D6
H1, H2, G1, G2, F2, E1, E2, D1, D2
K1, K2, L1, L2, M2, N1, N2, P1, P2
L5, G5, G3, L3
P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6
D1, E2, G2, H1, K2, L1, M2, N1, P2
L5, G3
P6, N7, M6, L7, K6, H7, G6, E6, D7,
D2, E1, F2, G1, H2, K1, L2, N2, P1,
G5, L3, T4
K4
M4
H4
E4, B6
B2
F4
B4
T7
R5
R3
R7
J3
J5
An
I
Address Inputs
An
NC
An
I
Address Inputs (x36 Version)
No Connect (x36 Version)
Address Inputs (x18 Version)
—
I
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B
1
–
DQ
B
9
DQ
C1
–
DQ
C
9
DQ
A
1
–
DQ
A
9
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B
1
–
DQ
B
9
B
A
, B
B
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
A
I/Os; active low ( x36 Version)
I/O
Data Input and Output pin. (x18 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low ( x18 Version)
NC
—
No Connect (x18 Version)
CK
CKE
W
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
PE
DP
QE
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Clock Input Signal; active high
Clock Input Buffer Enable; active low
Write Enable. Writes all enabled bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active high
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
Parity Bit Enable; active low (High = x16/32 Mode, Low = x18/36 Mode)
Data Parity Mode Input; 1 = Even, 0 = Odd
Parity Error Out; Open Drain Output
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low Drive])
No Connect
Scan Test Mode Select
O
D4
ZQ
I
B1, C1, R1, T1, L4, B7, C7, U6
U2
NC
TMS
—
I
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816018 | 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
| GS816032 | 16Mb（512K x 36Bit）Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器)) |
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| GS816036T-133 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-133I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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