參數(shù)資料
型號(hào)： GS8150E32
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（為512k × 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（512k × 32的位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁(yè)數(shù)： 8/26頁(yè)
文件大小： 516K
代理商： GS8150E32
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
8/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8150E18/32/36T-225/200/180/166/150/133
Byte Write Truth Table
Notes:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x32 and x36 versions.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8150E36 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
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GS8150V18AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300 - Trays
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