參數(shù)資料
型號(hào)： GS8150E32
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（為512k × 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（512k × 32的位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁(yè)數(shù)： 5/26頁(yè)
文件大?。?/td> 516K
代理商： GS8150E32
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8150E18/32/36T-225/200/180/166/150/133
TQFP Pin Description
Pin Location
Symbol
Typ
e
I
Description
37, 36
A
0
, A
1
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,
46, 47, 48, 49, 50, 43, 42,
80
63, 62, 59, 58, 57, 53, 52
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
A
2
–
A
18
I
Address Inputs
A
19
I
Address Inputs (x18 versions)
DQ
A1
–
DQ
A8
DQ
B1
–
DQ
B8
DQ
C1
–
DQ
C8
DQ
D1
–
DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x32, x36 Version)
51, 80, 1, 30
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
51, 80, 1, 30
No Connect (x32 Version)
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79,
1, 2, 3, 6, 7,
25, 28, 29, 30
87
93, 94
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
NC
—
No Connect (x18 Version)
BW
B
A
, B
B
I
I
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/Os; active low
(x32, x36 Version)
No Connect (x18 Version)
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
95, 96
B
C
, B
D
I
95, 96
89
88
98, 92
97
86
83
84, 85
64
14
31
NC
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
15, 41, 65, 91
I
Core power supply
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
I
I/O and Core Ground
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
I
Output driver power supply
16, 38, 39, 66
—
No Connect
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8150E36 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS8150F18 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS8150F32 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS8150F36 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS8150Z18 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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GS8150V18AB-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM
GS8150V18AB-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM
GS8150V18AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300 - Trays
GS8150V18AB-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300I - Trays
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