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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS815018 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬(wàn)x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬(wàn)× 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 516K |
| 代理商： | GS815018 |
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Rev: 1.02 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815018/32/36T-225/200/180/166/150/133
GS815036 100-Pin TQFP Pinout
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS815032 | 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS815036 | 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8150E18 | 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8150E32 | 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8150E36 | 16Mb（512K x 36Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815018AB | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS815018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
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