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參數(shù)資料
| 型號： | GS76024AB-10 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 24 6Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 256K X 24 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | GS76024AB-10 |
t
WC
Address
CE
WE
Data In
OE
Data Out
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AW
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CW
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AS
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WP
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WR
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DW
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DH
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WLZ
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WHZ
Data valid
High impedance
GS76024AB
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 12/2005
8/12
2003, GSI Technology
Write Cycle 1: WE control
t
WC
Address
CE
WE
Data In
OE
Data Out
t
AW
t
WP
t
AS
t
CW
t
WR1
t
DW
t
DH
Data valid
High impedance
Write Cycle 2: CE control
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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