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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS1333 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | GS1333 |
2/4
ISSUED DATE :2005/03/10
REVISED DATE :
Electrical Characteristics(Tj = 25
Unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-20
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
0.01
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=-1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-0.5
-
-1.2
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance
gfs
-
1
-
S
VDS=-5V, ID=-550mA
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
D100
nA
VGS= D12V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
-1
uA
VDS=-20V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 : )
IDSS
-
-10
uA
VDS=-16V, VGS=0
-
600
VGS=-10V, ID=-550mA
-
800
VGS=-4.5V, ID=-500mA
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON)
-
1000
m
VGS=-2.5V, ID=-300mA
Total Gate Charge2
Qg
-
1.7
2.7
Gate-Source Charge
Qgs
-
0.3
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
0.4
-
nC
ID=-500mA
VDS=-16V
VGS=-4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
5
-
Rise Time
Tr
-
8
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
10
-
Fall Time
Tf
-
2
-
ns
VDS=-10V
ID=-500mA
VGS=-5V
RG=3.3
RD=20
Input Capacitance
Ciss
-
66
105.6
Output Capacitance
Coss
-
25
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
20
-
pF
VGS=0V
VDS=-10V
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-1.2
V
IS=-300mA, VGS=0V
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on FR4 board, t 10sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS138K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS152B | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS1A-T1 | 1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| GS1AW | SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
| GS1A | SURFACE MOUNT RECTIFIER VOLTAGE - 50 TO 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS138K | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS1399 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GS1399 內(nèi)置MCU單聲道FM收音芯片，輸入電壓2.0V-3.6V，接收頻率76-108MHZ |
| GS13XX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DC/DC升壓變換芯片—GS13 系列 |
| GS14 | 制造商:EUROQUARTZ 制造商全稱:EUROQUARTZ limited 功能描述:14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO |
| GS1412 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:dc-dc升壓ic、dc-dc降壓ic、升降壓ic |
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