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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS1332E |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | GS1332E |
GS1332E
Page: 2/4
ISSUED DATE :2005/03/10
REVISED DATE :2006/11/24C
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
20
-
V
VGS=0, ID=250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
0.02
-
V/ :
Reference to 25 , I
:
D=1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.5
-
1.2
V
VDS=VGS, ID=250uA
Forward Transconductance
gfs
-
1
-
S
VDS=5V, ID=600mA
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±10
uA
VGS= ±5V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 )
:
-
1
uA
VDS=20V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 )
:
IDSS
-
10
uA
VDS=16V, VGS=0
-
600
VGS=4.5V, ID=600mA
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON)
-
1200
m
VGS=2.5V, ID=400mA
Total Gate Charge2
Qg
-
1.3
2
Gate-Source Charge
Qgs
-
0.3
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
0.5
-
nC
ID=600mA
VDS=16V
VGS=4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
4
-
Rise Time
Tr
-
10
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
15
-
Fall Time
Tf
-
2
-
ns
VDS=10V
ID=600mA
VGS=10V
RG=3.3
RD=16.7
Input Capacitance
Ciss
-
38
60
Output Capacitance
Coss
-
17
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
12
-
pF
VGS=0V
VDS=10V
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
1.2
V
IS=300mA, VGS=0V
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on FR4 board, t 10sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS1333 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS138K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS152B | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS1A-T1 | 1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| GS1AW | SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS1333 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GS138K | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GS13XX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DC/DC升壓變換芯片—GS13 系列 |
| GS14 | 制造商:EUROQUARTZ 制造商全稱:EUROQUARTZ limited 功能描述:14 pin Dual-inLine Sine Wave VCXO |
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