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參數(shù)資料
| 型號： | GP801DCM18 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | B Series/ Female Solder |
| 中文描述： | 800 A, 1800 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | GP801DCM18 |
GP801DCM18
6/10
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:
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d
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ischarge.
U
sers shoul
d
f
ollo
w
E
SD
han
d
ling proce
d
ures.
www.dynexsemi.com
Fig.7 Diode typical forward characteristics
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Fo
w
ar
d
voltage, V
F
- (V)
F
w
a
d
F
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
Fig.8 Reverse bias safe operating area
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
400
800
1200
1600
2000
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
C
C
T
case
= 125
C
V
ge
=
±
15V
R
g(min)
= 2.2
Fig.9 Forward bias safe operating area
1
10
100
1000
10000
1
10
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
100
1000
10000
C
C
50
μ
s
100
μ
s
t
p
= 1ms
I
C
ma
x
. (single pulse)
I
C
ma
x
.
D
C(oninuou)
Conditions:
T
vj
= 125
C, Tcase = 80
C
0.1
1
10
100
1
10
1000
100
10000
P
ulse
w
i
d
th, t
p
- (ms)
T
d
a
Z
t
j
-
°
C
k
D
io
d
e
Transistor
Fig.10 Transient thermal impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP801DDM18 | Hi-Reliability Dual Switch Low VCESAT IGBT Module |
| GP801DDS18 | Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module |
| GP801DCS18 | Chopper Switch Low VCESAT IGBT Module |
| GP801FSM18 | Hi-Reliability Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module |
| GPP10A | Glass Passivated Junction Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP801DCN18 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| GP801DCS18 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Chopper Switch Low VCESAT IGBT Module |
| GP801DDM18 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| GP801DDS18 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module |
| GP801FSM18 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Hi-Reliability Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module |
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