- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841ELT-7K (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ELT-7K |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 52/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-7K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁當(dāng)前第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
LG Semicon
Auto Refresh Cycle
GM72V66841CT/CLT
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ (output)
C:a
A10=h
a
a+1
Precharge
if needed
Auto Refresh
R:a
Bank0
Read
Bank0
Active
Auto Refresh
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CLK
CKE
V
IH
t
RP
t
RC
t
RC
Refresh Cycle and
Read Cycle
RAS-CAS Delay=2
CAS Latency=2
Burst Length=4
= VIH or VIL
High-Z
51
DQM ,
DQMU/DQML
DQ (input)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-8 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。