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參數(shù)資料
| 型號： | GLT5640AL16P-8TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 64/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-8TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
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Full Page Write Cycle (1 of 2)
*BA1=”L” , Bank C , D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=Full Page, CAS Latency=2
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
Ra
QAa+1
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Burst Stop
Command
CBank B
QAa
Full page burst operation
does not terminate when
the burst length is satisfied;
the burst counter increments
and continues bursting
beginning with the starting
address
Ra
Ca
Rb
tBDL
High
Activate
Command
Bank B
Ra
Rb
Ca
QAa+2
QAa+3
QAa-1
QAa
QAa+1
QBa
QBa+1
QBa+2
QBa+3
QBa+4
QBa+5
Activate
Bank B
Precharge
Bank B
QBa+6
Data is ignored
Ra
*BA0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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