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參數資料
| 型號： | GLT5640AL16P-8TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| 中文描述： | 4米× 16個CMOS同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 18/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-8TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 18 -
6.Address Bits of Bank-Select and Precharge
Row
(Activate command)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
Row
(Precharge command)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
Row
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
BA1
BA0
Result
0
0
Select Bank A
“Activate “ command
Select Bank B
“Activate” command
Select Bank C
“Activate” command
Select Bank D
“Activate” command
0
1
1
0
1
1
A10
0
0
0
0
1
BA1
0
0
1
1
X
BA0
0
1
0
1
X
Result
Precharge Bank A
Precharge Bank B
Precharge Bank C
Precharge Bank D
Precharge All Banks
X : Don’t care
BA1
BA0
Result
0
0
Enables Read/Write
commands for Bank A
Enables Read/Write
commands for Bank B
Enables Read/Write
commands for Bank C
Enables Read/Write
commands for Bank D
0
1
1
0
1
1
0
1
Disables Auto-Precharge (End of Burst)
Enables Auto - Precharge (End of Burst)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GLT5640L32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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