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參數(shù)資料
| 型號： | GFU50N03 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第65A條（?。﹟對251AA |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | GFU50N03 |
GFU50N03
Vishay Semiconductor
Document Number 74575
17-Dec-01
www.vishay.com
5
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Fig. 11
–
Transient Thermal
Impedance
Fig. 12
–
Power vs. Pulse Duration
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
200
400
600
800
1000
1
10
37
36
38
40
43
39
--
50
--
25
25
50
75
100
125
0
Fig. 10
–
Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
150
I
D
= 250
μ
A
B
D
R
θ
J
I
T
J
-- Junction Temperature (
°
C)
Pulse Duration (sec.)
41
42
1. Duty Cycle, D = t
1
/t
2
2. R
θ
JA
(t) = R
θ
JA
(norm) *R
θ
JA
3. R
θ
JA
= 2.0
°
C/W
4. T
J
-- T
A
= P
DM
* R
θ
JA
(t)
Fig. 13
–
Maximum Safe Operating Area
V
DS
-- Drain-Source Voltage (V)
0.1
1
1
10
100
1000
10
100
V
GS
= 10V
Single Pulse
R
θ
JC
= 2.0
°
C/W
T
A
= 25
°
C
I
D
1ms
100
μ
s
10ms
DC
R
DS(ON)
Limit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GFU50N03\45A | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 65A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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