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參數(shù)資料
| 型號： | GF3443 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 20V的五（巴西）直| 4.4AI（四）|的TSOP |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | GF3443 |
Features
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Popular SOT-23-6L package with copper lead-frame
for superior thermal and electrical capabilities
Compact and low profile
–2.5V rated
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
±
12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
Continuous Drain Current
T
J
= 150°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
–4.4
–3.5
A
A
Pulsed Drain Current
I
DM
–20
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
P
D
2.0
1.3
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Junction-to-Ambient
(1)
T
J
, T
stg
–55 to 150
°C
R
θ
JA
62.5
°C/W
Note:
(1) Surface Mounted on FR4 Board, t
≤
5 sec.
Mechanical Data
Case:
SOT-23-6L package
Terminals:
Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Marking Code:
43
GF3443
P-Channel Logic Level
Enhancement-Mode MOSFET
V
DS
–20V
R
DS(ON)
65
m
I
D
–4.4A
T
RENCH
G
EN
F
ET
NewProduct
5/4/01
Mounting Pad Layout
Pin Configuration (Top View)
SOT-23-6L
0.122 (3.10)
0.114 (2.90)
1
6
2
5
3
4
0.037 (0.95)
Ref.
0.074 (1.9)
Ref.
0.094 (2.4)
0.028 (0.7)
0.039
(1.07)
0.067 (1.70)
0.059 (1.50)
0.118 (3.00)
0.106 (2.70)
0.020 (0.50)
0.010 (0.25)
0.004 (0.10)
0.0005 (0.013)
0.075 (1.90)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
10
°
Typical
0.039 (1.00)
0.036 (0.90)
0.037 (0.95)
Top View
Dimensions in inches
and (millimeters)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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