參數(shù)資料
型號(hào): GA200
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 晶閘管
英文描述: SCRs Nanosecond Switching, Planar
中文描述: 0.314 A, 60 V, SCR, TO-18
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 99K
代理商: GA200
Bulletin I27121 rev. B 07/02
3
GA200HS60S
www.irf.com
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
I
C
,
V
CE
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Transfer Characteristics
I
C
,
V
GE
, Gate-to-Emitter Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
V
C
,
T
J
, Junction Temperature (°C)
Fig. 3 - Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
M
T
C
, Case Temperature (°C)
10
100
1000
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
Vge = 15V
TJ
TJ
1
10
100
1000
5
6
7
8
Vce = 10V
380μs PULSE WIDTH
TJ
C
TJ
C
0.5
1
1.5
2
20
40
60
80
100 120 140 160
IC
I C
I C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
25
50
75
100
125
150
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