參數(shù)資料
型號： GA150TD12U
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 181K
代理商： GA150TD12U
GA150TD120U
www.irf.com
7
Fig. 15
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
t
I
R
0
100
200
300
400
500
800
dif
1400
1700
2000
I = 300A
I = 150A
I = 75A
V = 720 V
T = 125 °C
T = 25°C
0
50
100
150
200
250
500
800
1100
di /dt - (A/μs)
1400
1700
2000
I = 300A
I = 150A
I = 75A
V = 72 0V
T = 12 5°C
T = 25 °C
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PDF描述
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GA152-10-12/G 功能描述:高頻/射頻繼電器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz
GA152-10-12/SG 制造商:Teledyne Relays 功能描述:ATTENUATOR - Bulk
GA152-10-15 功能描述:高頻/射頻繼電器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz
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