參數(shù)資料
型號： FZT957
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
中文描述： 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： FZT957
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-330
-440
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CER
-330
-440
V
I
C
=-1
μ
A, RB
≤
1k
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-6
-8
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-300V
V
CB
=-300V, T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
I
CER
R
≤
1k
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-300V
V
CB
=-300V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-10
nA
V
EB
=-6V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-60
-110
-170
-100
-165
-240
mV
mV
mV
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-500mA, I
=-100mA*
I
C
=-1A, I
B
=-300mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-910
-1150
mV
I
C
=-1A, I
B
=-300mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-750
-1020
mV
I
C
=-1A, V
CE
=-10V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
90
200
200
170
10
300
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-0.5A, V
=-10V*
I
C
=-1A, V
CE
=-10V*
I
C
=-2A, V
CE
=-10V*
Transition Frequency
f
T
85
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
23
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
108
2500
ns
ns
I
C
=-500mA, I
B1
=-50mA
I
B2
=50mA, V
CC
=-100V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FZT957
3 - 290
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZT958 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZTA64 RES MF 1.5K 5% .25W
FZTA92 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
i960 VH Embedded-PCI Processor(嵌入式PCI處理器)
ICS524 LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZT957TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT957TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT958 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT958TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FZT958TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*