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參數(shù)資料
| 型號： | FZT958 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS |
| 中文描述： | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | FZT958 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 3 - JANUARY 1996
FEATURES
*
1 Amp continuous current
*
Up to 2 Amps peak current
*
Very low saturation voltage
*
Excellent gain characteristics specified up to 1 Amp
COMPLEMENTARY TYPES -
FZT957 - FZT857
FZT958 - N/A
DEVICE TYPE IN FULL
PARTMARKING DETAILS -
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FZT957
FZT958
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-300
-400
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-300
-400
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-6
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
-1.5
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
-0.5
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
3
W
Operating and Storage Temperature
Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
FZT957
FZT958
C
C
E
B
3 - 289
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZTA64 | RES MF 1.5K 5% .25W |
| FZTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| i960 VH | Embedded-PCI Processor(嵌入式PCI處理器) |
| ICS524 | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
| ICS524MILF | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT958TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT958TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT968 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT |
| FZT968TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT968TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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