參數(shù)資料
型號(hào)： FZT956
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
中文描述： 2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： FZT956
FZT956
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-220
-300
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CER
-220
-300
V
I
C
=-1
μ
A, RB
≤
1k
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-200
-240
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-6
-8
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-200V
V
CB
=-200V,T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
I
CER
R
≤
1k
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-200V
V
CB
=-200V,T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-10
nA
V
EB
=-6V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-30
-120
-168
-50
-165
-275
mV
mV
mV
I
C
=-100mA,I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-400mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-970
-1110
mV
I
C
=-2A, I
B
=-400mA
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-810
-950
mV
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
50
200
200
150
10
300
I
C
=-10mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
I
C
=-5A, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
110
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
32
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
67
1140
ns
ns
I
C
=-1A, I
=-100mA
I
B2
=100mA, V
CC
=-50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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PDF描述
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