參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1600R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 2300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 182K
代理商： FZ1600R12KE3
Technische Information / technical information
FZ1600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
preliminary data
vorlufige Daten
min.
typ.
max.
-
0,60
-
μs
-
0,66
-
μs
-
0,23
-
μs
-
0,22
-
μs
-
0,82
-
μs
-
0,96
-
μs
-
0,15
-
μs
-
0,18
-
μs
-
2,2
2,8
V
-
2
-
V
-
515
-
A
-
800
-
A
-
75
-
μC
-
180
-
μC
-
18
-
mJ
-
47
-
mJ
A
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
CE
-
12
SC data
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,2 , T
vj
=125°C
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 7200A/μs
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 7200A/μs
0,19
R
CC′/EE′
6400
Q
r
V
F
t
d,off
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,2 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,2 , T
vj
=125°C
V
GE
=±15V, R
Goff
=0,2 , T
vj
=25°C
V
GE
=±15V,R
Goff
=0,2 , T
vj
=125°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
-
t
f
-
t
d,on
t
r
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V, L = 45nH
V
GE
=±15V, R
Gon
=1,6 , T
vj
=125°C
t
P
10μs, V
GE
15V, T
Vj
125°C
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V
E
on
T
c
= 25°C
-
-
-
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
CE
· di/dt
E
off
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V, L = 45nH
-
I
SC
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 7200A/μs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
Durchlassspannung
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Gon
=1,6
T
vj
=25°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
V
GE
=±15V, R
Gon
=1,6 , T
vj
=125°C
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Kurzschlussverhalten
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 1600A, V
CC
= 600V
V
GE
=±15V, R
Gon
=1,6
T
vj
=25°C
V
GE
=±15V, R
Gon
=1,6 , T
vj
=125°C
325
250
-
mJ
-
mJ
2 (8)
DB_FZ1600R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
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FZ1600R17HP4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1600R17HP4_B2 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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