參數(shù)資料
型號： FZ1600R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 2300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 182K
代理商： FZ1600R12KE3
Technische Information / technical information
FZ1600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
preliminary data
vorlufige Daten
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,016
K/W
R
thJC
-
-
0,032
K/W
mm
mm
32
M
M
-
M
-
1,7
Lagertemperatur
storage temperature
CTI
comperative tracking index
creepage distance
clearance
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Nm
8
-
20
10
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
125
°C
°C
T
stg
-40
-
125
T
vj op
-
-
-40
-
Luftstrecke
Kriechstrecke
operation temperature
°C
150
Anschlüsse / terminal M8
pro Diode/per Diode, DC
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Thermische Eigenschaften / thermal properties
T
vj max
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink
Innerer Wrmewiderstand
pro Transistor /per transistor, DC
maximum junction temperature
thermal resistance, junction to case
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
5,75
>400
4,25
g
weight
2,3
Nm
G
1500
Gewicht
R
thCK
pro Modul / per module
Paste
/
grease
=1W/m*K
übergangs Wrmewiderstand
Gehuse, siehe Anlage
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
K/W
-
0,006
-
3 (8)
DB_FZ1600R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FZ1600R17HP4_B2 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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