參數(shù)資料
型號(hào): FZ1200R33KL2
廠商: EUPEC
英文描述: Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述: Hochstzulassige話高潮/最大額定值
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代理商: FZ1200R33KL2
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
400
800
1200
1600
2000
2400
5
6
7
8
9
10
11
12
13
T = 25°C
T = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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