參數(shù)資料
型號(hào): FZ1200R33KL2
廠商: EUPEC
英文描述: Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述: Hochstzulassige話高潮/最大額定值
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代理商: FZ1200R33KL2
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 33 KL2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufiges Datenblatt
preliminary datasheet
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
T = 25°C
T = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
4 (9)
FZ1200R33KL2_V Rev3.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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