參數(shù)資料
型號： FZ1200R17KF6CB2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： 1950 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： FZ1200R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
3
r
i
[K/kW]
: IGBT
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
i
[sec]
: Diode
1,25
0,003
2,46
0,003
6,15
0,05
13,4
0,045
2,6
0,1
4,57
0,45
0,95
4,57
0,75
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 1,2 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ1200R17KF6B2 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C-B5 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2-B5 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1600R12KE3 IGBT-Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ1200R17KF6C-B2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R17KF6CB2V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33HE3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1200R33KF1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33KF2 功能描述:IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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