參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1200R17KF6CB2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： 1950 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： FZ1200R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
FZ 1200 R 17 KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
d,on
0,3
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
0,3
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
r
0,16
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
0,16
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
d,off
1,1
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
1,1
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 25°C
t
f
0,13
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C
0,14
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C, L
S
= 50nH
E
on
330
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 1,2 , T
vj
= 125°C, L
S
= 50nH
E
off
480
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
10μsec, V
GE
15V
T
Vj
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
4800
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
12
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
0,08
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 1200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
2,1
2,5
V
I
F
= 1200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
970
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
1130
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
200
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
380
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
110
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
210
mWs
2(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ1200R17KF6B2 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C-B5 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2-B5 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1600R12KE3 IGBT-Module
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參數(shù)描述
FZ1200R17KF6C-B2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R17KF6CB2V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33HE3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1200R33KF1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FZ1200R33KF2 功能描述:IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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