參數(shù)資料
型號： FQU13N06
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 10A條（丁）|至251
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 659K
代理商： FQU13N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
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FR1000BW50 THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|2.5KV V(DRM)|TO-200AF
FR1000BX50 THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|2.5KV V(DRM)|TO-200VAR90
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參數(shù)描述
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