參數(shù)資料
型號(hào): FQPF8N80C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 800V N-Channel MOSFET
中文描述: 8 A, 800 V, 1.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 906K
代理商: FQPF8N80C
Rev. A, March 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Package Dimensions
(Continued)
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP8N90C 900V N-Channel MOSFET
FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET
FQP8P10 100V P-Channel MOSFET
FQP90N08 80V N-Channel MOSFET
FQP90N10V2 100V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF8N80C_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQPF8N80CXDTU 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N80CYDTU 功能描述:MOSFET HIGH_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N80CYDTU_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQPF8N90C 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube