參數(shù)資料
型號(hào): FQPF6N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 2.54mm Pitch Dual Row Vertical Through Connect Header Assembly, tin, 24-way
中文描述: 3.6 A, 600 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 770K
代理商: FQPF6N60
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
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0
1
±
0
1
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0
6
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0
9
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0
4
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0
10.16
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0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
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0.20
0.35
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0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQP6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQPF70N10 CAP 100PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQPF70N08 80V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQPF6N70 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N80 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF6N80C 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube