型號(hào): | FQPF6N60 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 2.54mm Pitch Dual Row Vertical Through Connect Header Assembly, tin, 24-way |
中文描述: | 3.6 A, 600 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | TO-220F, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 770K |
代理商: | FQPF6N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FQPF6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
FQP6N60C | 600V N-Channel MOSFET |
FQPF70N10 | CAP 100PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
FQPF70N08 | 80V N-Channel MOSFET |
FQPF7N10 | 100V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FQPF6N60C | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/6A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQPF6N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQPF6N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQPF6N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
FQPF6N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |