型號(hào): | FQP8N60C |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | 600V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 8/10頁(yè) |
文件大小: | 927K |
代理商: | FQP8N60C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQPF8N60C | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
FQP8N80C | 800V N-Channel MOSFET |
FQPF8N80C | 800V N-Channel MOSFET |
FQP8N90C | 900V N-Channel MOSFET |
FQPF8N90C | 900V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQP8N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQP8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQP8N80C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
FQP8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQP8P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |