參數(shù)資料
型號: FP50R12KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-35
文件頁數(shù): 4/11頁
文件大?。?/td> 162K
代理商: FP50R12KE3
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP75R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
-
-
-
-
-
-
-
-
typ.
-
-
-
-
-
0,04
0,02
0,04
max.
0,65
0,35
0,58
0,6
1,2
-
-
-
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Trans. Bremse/ Trans. Brake
Diode Bremse/ Diode Brake
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
R
thJC
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
λ
Paste
=1W/m*K
R
thCK
λ
grease
=1W/m*K
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M
3
Nm
±10%
Gewicht
weight
G
300
g
4(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FPAL10SH60 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FPAL15SH60 Smart Power Module (SPM)
FPAL15SM60 Smart Power Module (SPM)
FPAL15SL60 Smart Power Module (SPM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP50R12KE3V1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP50R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 50A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP50R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
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FP50R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: