參數(shù)資料
型號: FP25R12KS4CV2
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 8/11頁
文件大小: 99K
代理商: FP25R12KS4CV2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Z
t
t [s]
I
C
V
CE
[V]
Transienter Wrmewiderstand Wechselr. Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance Inverter
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth-IGBT
Zth-FWD
0
10
20
30
40
50
60
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
Ri und ti-Werte siehe S. 4
Ri and ti-Values see P. 4
Sicherer Arbeitsbereich IGBT-Wechselr. (RBSOA)
Reverse bias save operating area (RBSOA)
V
GE
= 15V, T
j
= 125°C
8(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FP4050 2-WATT POWER PHEMT
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參數(shù)描述
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FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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