參數(shù)資料
型號(hào): FP25R12KS4CV2
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 11/11頁(yè)
文件大小: 99K
代理商: FP25R12KS4CV2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4B15BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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