參數(shù)資料
型號： FMS7G20US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： SWTCH PLUNGR SPDT 25A SCREW TERM
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 25PM-AA, 25 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 902K
代理商： FMS7G20US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMS7G20US60 Rev. A
F
1
10
0
10
20
30
40
50
60
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
o
u
C
]
C
ollector -
E
m
itter Voltage, V
C
E
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
S
(Therm
ingle P
ulse
al response)
FR
D
IG
B
T
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Transient Thermal Impedance
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
60
20V
12V
15V
V
G
E
=
10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
o
u
C
]
C
ollector -
E
m
itter Voltage, V
C
E
[V]
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
Common Emitter
V
GE
= 15V
20 A
40 A
I
C
= 10 A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
o
i
C
E
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
o
i
C
E
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
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