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參數(shù)資料
| 型號： | FMMTL619 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1250 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | FMMTL619 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
210
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
50
70
V
I
C
=5mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current I
CBO
10
nA
V
CB
=40V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
=4V
Collector Cut-Off Current I
CES
10
nA
V
CE
=40V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
24
60
100
195
45
100
180
330
mV
mV
mV
mV
I
C
=100mA, I
B
=10mA*
I
C
=250mA, I
B
=10mA*
I
C
=500mA, I
=25mA*
I
C
=1.25A, I
B
=125mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1020
1100
mV
I
C
=1.25A, I
B
=125mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
895
1000
mV
I
C
=1.25A, V
CE
=2V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
200
300
200
100
30
400
450
400
230
50
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=200mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
=5V*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
C
=2A, V
CE
=5V*
Transition Frequency
f
T
180
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
6
8
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
182
379
ns
ns
I
C
=1A, V
=10V
I
B1
=-I
B2
=10mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMTL619
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTL717 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL718 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMV105G | TTL |
| FMN-G14S | PCB Header; No. of Contacts:36; Pitch Spacing:0.1"; No. of Rows:1; Series:929; Body Material:Glass-Filled Polyester; Contact Material:Copper Alloy; Contact Plating:Gold; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| FMG-14S | CRYSTAL 13.560000 MHZ SMD 8PF |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMTL619_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL619TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL619TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL717 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Medium Power Transistor |
| FMMTL717TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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