參數(shù)資料
型號: FMMTL718
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 63K
代理商: FMMTL718
C
B
E
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 – DECEMBER 1997
FEATURES
Very low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
=210m
at 1.5A
COMPLEMENTARY TYPE –
FMMTL618
PARTMARKING DETAIL –
L78
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-20
V
Collector-Emitter Voltage
-20
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-1
A
Peak Pulse Current
-2
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
-500
mW
-55 to +150
°C
FMMTL718
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PDF描述
FMMV105G TTL
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參數(shù)描述
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FMMTL718TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMTL718TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMTL720TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMTL720TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2