參數(shù)資料
型號： FMG2G50US120
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 463K
代理商： FMG2G50US120
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G50US120 Rev. A
F
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
20
40
60
80
100
120
Forward Voltage, V
F
[V]
F
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
0
6
12
ate R
18
24
30
36
42
0
3
6
9
12
15
G
esistance, R
G
[
]
S
i
J
Eoff
Eon
Common Emitter
V
CC
= 600 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 50 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
0
6
12
18
24
30
36
42
100
1000
Tf
Toff
G
ate R
esistance, R
G
[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 600 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 50 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
0
6
12
G
18
esistance, R
24
30
G
[
]
36
42
100
1000
Tr
Ton
S
i
e
ate R
Common Emitter
V
CC
= 600 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 50 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
Eoff
Eon
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
J
Common Emitter
V
GE
= ± 15 V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
3
6
9
12
15
G
Gate Charge, Qg [ nC ]
Common Emitter
R
L
= 12
V
CE
= 600V
T
C
= 25
℃
Fig 7. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 8. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 11. Gate Charge Characteristics
Fig 12. Forward Characteristics(diode)
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G50US60 Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA
FMG2G75US120 Molding Type Module
FMG2G75US60 Molding Type Module
FMKA130L Schottky Rectifier
FMKA130 1.2 Watt Power Dissipation Package 1.0 Ampere, Forward Voltage Less than 600mV
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2G50US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G75US120 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG-3 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM 制造商:Richco 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM
FMG-32R 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
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