參數(shù)資料
型號： FMG2G50US120
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： FMG2G50US120
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G50US120 Rev. A
F
25
50
C
75
perature, T
100
C
[
0
125
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
C
= 30A
50A
80A
ase Tem
C
]
C
o
u
C
]
Common Emitter
V
GE
= 15V
0.0
0.5
ollector - Em
1.0
1.5
itter Voltage, V
2.0
2.5
3.0
3.5
0
20
40
60
80
100
V
GE
= 10V
12V
15V
20V
C
o
u
C
]
C
C
E
[V]
Common Emitter
T
C
= 125
℃
0.0
0.5
C
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
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40
60
80
100
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
------
℃ ℃℃
℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
20
40
60
80
100
V
GE
= 10V
12V
15V
20V
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
T
C
= 25
℃
30
40
50
60
70
]
80
100
1000
Toff
Tf
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
Common Emitter
V
GE
= ± 15 V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
30
40
50
60
70
80
100
1000
Tr
Ton
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
= ± 15 V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Fig 5. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 6. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G50US60 Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA
FMG2G75US120 Molding Type Module
FMG2G75US60 Molding Type Module
FMKA130L Schottky Rectifier
FMKA130 1.2 Watt Power Dissipation Package 1.0 Ampere, Forward Voltage Less than 600mV
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2G50US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G75US120 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG-3 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM 制造商:Richco 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM
FMG-32R 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
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