參數(shù)資料
型號： FMG2G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 726K
代理商： FMG2G200US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G200US60 Rev. A
F
0
1
2
3
4
0
100
200
300
400
500
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
a
u
]
Forw
ard Voltage, V
F
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0
3
6
9
12
15
Common Emitter
I
C
= 200A
V
CC
= 300V
T
C
= 25
o
C
G
ate C
harge, Q
g
[nC
]
G
a
i
G
E
100
150
200
250
300
100
1000
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Tf
Toff
S
i
e
100
150
200
250
300
100
1000
Tr
Ton
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
100
150
200
250
300
1
10
100
Eoff
Eon
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
0
5
10
15
20
g[
]
25
30
1
10
Eoff
Eon
G
ate R
esistance, R
S
i
J
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Fig 7. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 11. Gate Charge Characteristics
Fig 12. Forward Characteristics(diode)
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Switching Loss vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G300LS60E Molding Type Module
FMG2G300US60E Molding Type Module
FMG2G300US60 Molding Type Module
FMG2G400LS60 Molding Type Module
FMG2G400US60 Molding Type Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2G300LS60E 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E_Q 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G400LS60 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*