參數(shù)資料
型號： FMG2G150US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 714K
代理商： FMG2G150US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G150US60 Rev. A
F
100
150
200
250
300
1
10
Eoff
Eon
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
100
150
200
250
300
100
1000
Tr
Ton
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
e
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
100
150
200
250
300
100
1000
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 2
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Tf
Toff
S
i
e
5
10
15
20
g[
]
25
30
1
10
Eoff
Eon
G
ate R
esistance, R
S
i
J
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
0
100
200
300
400
500
0
3
6
9
12
15
Common Emitter
I
C
= 150A
V
CC
= 300V
T
C
= 25
o
C
G
ate C
harge, Q
g
[nC
]
G
a
i
G
E
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
Fig 7. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 11. Gate Charge Characteristics
Fig 12. Forward Characteristics(diode)
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Switching Loss vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G200US60 Molding Type Module
FMG2G300LS60E Molding Type Module
FMG2G300US60E Molding Type Module
FMG2G300US60 Molding Type Module
FMG2G400LS60 Molding Type Module
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參數(shù)描述
FMG2G150US60E 功能描述:IGBT 模塊 600V/150A/Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G200US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300LS60E 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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