參數(shù)資料
型號(hào)： FMG2G150US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 714K
代理商： FMG2G150US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G150US60 Rev. A
F
5
10
15
20
25
30
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Toff
Tf
S
i
e
G
ate R
esistance, R
g
[
]
5
10
15
20
G
[
]
25
30
10
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 150A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ton
Tr
S
i
e
G
ate R
esistance, R
25
50
75
100
125
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
75A
150A
300A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
℃
]
Common Emitter
V
GE
= 15V
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
V
G
E
= 10V
15V
12V
20V
Common Emitter
T
C
= 125
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
V
G
E
= 10V
15V
12V
20V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
1
10
0
100
200
300
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
o
C
u
C
]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 5. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 6. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G200US60 Molding Type Module
FMG2G300LS60E Molding Type Module
FMG2G300US60E Molding Type Module
FMG2G300US60 Molding Type Module
FMG2G400LS60 Molding Type Module
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參數(shù)描述
FMG2G150US60E 功能描述:IGBT 模塊 600V/150A/Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G200US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300LS60E 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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