參數(shù)資料
型號(hào)： FMBS549
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： FMBS549
V
1
Ic = 1 A, Vce = 2 V
Base-Emitter On Voltage
V
BE(on)
V
1.25
Ic = 1 A, Ib = 100 mA
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
mV
mV
mV
mV
200
350
500
750
Ic = 250 mA, Ib = 25 mA
Ic = 500 mA, Ib = 50 mA
Ic = 1 A, Ib = 100 mA
Ic = 2 A, Ib = 200 mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
-
300
70
100
80
40
100
Vce = 2V, Ic = 50 mA
Vce = 2V, Ic = 500 mA
Vce = 2V, Ic = 1 A
Vce = 2V, Ic = 2 A
Vce = 0.8V, Ic = 500 m A
DC Current Gain
h
FE
ON CHARACTERISTICS
nA
100
Veb = 4 V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
nA
uA
100
10
Vcb = 30 V
Vcb = 30 V, Ta= 100C
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
5
Ie = 100 uA
Emitter to Base Voltage
BV
EBO
V
35
Ic = 100 uA
Collector to Base Voltage
BV
CBO
V
30
Ic = 10 mA
Collector to Emitter Voltage
BV
CEO
OFF CHARACTERISTICS
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
PNP Low Saturation transistor
(continued)
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
C
obo
MHz
100
Vce = 5 V, Ic = 100mA, f = 100MHz
Current Gain - Bandwidth Product
f
T
pF
25
Vcb = 10V, f = 1MHz
1999 Fairchild Semiconductor
fmbs549.lwp Rev A PrPB
F
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PDF描述
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