參數(shù)資料
型號： FMBS5401
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 95K
代理商： FMBS5401
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, Octorber 2004
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
V - REVERSE BIAS VOLTAGE(V)
C
C
f = 1.0 MHz
C
cb
eb
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMBS5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBSA06 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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